半导体晶圆造备中位错缺点的状态和散布情况对电子元器件的机能有较大影响，由于掺杂资料、造备工艺的分歧，位错散布也分歧。本解决规划重要针对晶圆位错状态和散布，致力于为晶圆资料钻延注改进造备工艺提供数据支持。 合用于2吋、3吋、4吋和6吋砷化镓衬底。

特色规划

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  便捷高效

  便捷高效的晶圆、衬底和表延片表表缺点检测设备，重要瑕疵：位错、颗粒、凹坑、划痕、污渍等。

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  提高效能和正确性

  代替人为抽检，大大提高检测效能和检测正确性。

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  数据支持+自动化

  查抄衬底和表延片位错密度、状态和散布，为衬底资料钻延注缺点溯源、改进造备工艺提供数据支持；

  自动化的图像采集和人为智能分析工具。

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  优质服务

  设备靠得住，无故障工作功夫长，急剧响应+优质售后服务。